4.3. Мощные полевые транзисторы для ИИП
Мощные и-канальные полевые транзисторы с изолированным затвором 2П7160 с буквенными индексами А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И, К по АЕЯР.432140.374ТУ обладают повышенной устойчивостью в ситуациях специального назначения (их особое отличие — стойкость к радиации) и космического пространства, что является фактором дополнительной надежности. Замена ранее используемых МОП-транзисторов на вновь разработанные позволяет уменьшить вес и габариты устройств, существенно повысить надежность радиоэлектронной аппаратуры, снизить энергопотребление.
Электрические параметры разработанных изделий представлены в табл. 4.6.
Таблица 4.6. Электрические параметры мощных п-канальных полевых транзисторов с изолированным затвором 2П7151А, 2П7160А-2П7160К
Примечание:
1. МОП-транзисторы изготавливаются с золотым или никелевым покрытием корпуса.
2. МОП-транзисторы изготавливаются для монтажа в отверстия и для поверхностного монтажа в металлостеклянных корпусах КТ97А, КТ-97В, КТ-97С с планарными выводами с золотым или никелевым покрытием, для изготовления которых используется прецизионный стальной профиль.
3. Масса транзистора в корпусе КТ-97А — 5 г, КТ-97В — 8,5 г, КТ-97С — 10 г.
4. С 2011 года МОП транзисторы выпускаются также в керамико-полимерных корпусах КТ-ША-1,2, КТ-111В-1,2, КТ-111C-1,2 с изолированным коллектором и плоскими выводами (масса транзистора — от 1,5 г), а также на керамической подложке со сплошной заливкой герметичным компаундом — бескорпусная модификация «2» с гибкими выводами.
5. Монтаж транзисторов в аппаратуре может осуществляться методом пайки или с помощью теплопроводящего клея.
